TDA2030功放电路图 电动车充电器电路图 电子电路 功放电路 电子制作 集成块资料 电子报 pcb 变压器 元器件知识 逆变器电路图 电路图 开关电源电路图 传感器技术 led 电磁兼容
电子电路图
当前位置: 首页 > 传感器技术

紫外线探测器SG01D-C18应用于紫外光刻机

时间:2020-12-28 09:57:30来源:工采网 作者:川少 点击:
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System。
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动:
A 手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
B 半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
C 自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源, 常见光源分为:
可见光:g线:436nm
紫外光(UV),i线:365nm
深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm
极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
对光源系统的要求:
a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高。]
b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度或者叫不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g线(436 nm)或i线(365 nm)。对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF准分子激光(248 nm)、ArF准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
光刻机的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等。

最后小编推荐一款应用在紫外光刻机中的紫外线探测器,由工采网从国外引进的紫外光电二极管 - SG01D-C18, SiC具有极其特别的优点,能承受高强度的辐射,对可见光几乎不敏感,产生的暗电流低,响应速度快,这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器很好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中,温度系数低(<0.1%/K)并且噪音低,能够有效的监测到很低的辐射强度(需配置相应的放大器)。容源电子网为你提供技术支持,本站网址:dlmxgy.com

非常感谢用户nianshaoyouwei 的投稿!

本文地址:http://dlmxgy.com/cgq/16091206504154.shtml


本文标签:


.
顶一下
0%
返回首页
0
0%

------分隔线----------------------------
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
表情:
名称: E-mail: 验证码: 匿名发表
发布文章,推广自己产品。
热门标签
 
document.write("